InTechFun

 

Cel projektu

Nadrzędnymi celami Projektu jest budowa społeczeństwa opartego na wiedzy, stymulacja wzrostu gospodarczego oraz zapewnienie zrównoważonego rozwoju społecznego. Projekt będzie realizować te cele poprzez prowadzenie prac B+R w strategicznej dziedzinie zaawansowanych technologii elektronicznych, optoelektronicznych, fotonicznych i technik sensorowych ukierunkowując działania na obszary mające duży wpływ na szybki i ciągły rozwój cywilizacyjno-gospodarczy kraju oraz rozwój polskiej gospodarki w oparciu o nowe innowacyjne przedsiębiorstwa.

Zasadniczym kierunkiem badawczym podejmowanym w ramach Projektu jest opracowanie innowacyjnych rozwiązań technologicznych i konstrukcyjnych umożliwiających realizację nowych przyrządów półprzewodnikowych wytwarzanych w oparciu o półprzewodniki szerokoprzerwowe, ze szczególnym uwzględnieniem struktur, w których elementy czynne wykorzystywać będą najbardziej perspektywiczne układy materiałowe ZnO i półprzewodniki pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi, GaN i materiały pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi oraz SiC. Funkcjonalne struktury cienkowarstwowe pełniące rolę kontaktów omowych, kontaktów prostujących, metalizacji, dielektryków bramkowych oraz warstw pasywacyjnych wytwarzane będą w oparciu o cztery grupy materiałowe: stabilne termicznie tlenki, azotki, węgliki i borki.W centrum projektu będą indywidualne procesy technologiczne wytwarzania i kształtowania cienkowarstwowych struktur półprzewodnikowych, metalicznych i dielektrycznych, opracowywane w postaci uniwersalnych modułów technologicznych, a następnie integrowane w pełny cykl technologiczny wytwarzania struktur przyrządowych, tak by w końcowym etapie projektu zademonstrować ich funkcjonalność w modelowych przyrządach elektronicznych i optoelektronicznych oraz wybranych sensorach.

Projekt ten integrując kadrę naukową i zasoby materialne wiodących w tej dziedzinie zespołów badawczych z różnych sektorów nauki stawia sobie za zadanie stworzenie otwartej platformy technologicznej umożliwiającej realizację innowacyjnych prac B+R w obszarze nanoelektroniki, fotoniki i spintroniki z wykorzystaniem półprzewodników szerokoprzerwowych oraz stworzenia mechanizmów umożliwiających transfer opracowanych technologii do przedsiębiorstw przemysłowych, w szczególności z sektora Małych i średnich Przedsiębiorstw (MSP).

 
 

Używamy cookies i podobnych technologii m.in. w celu świadczenia usług i w celach statystycznych. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce, w jej ustawieniach. Jeżeli wyrażasz zgodę na zapisywanie informacji zawartej w cookies, kliknij „Zamknij”. Jeżeli nie wyrażasz zgody – zmień ustawienia swojej przeglądarki. Więcej informacji znajdziesz w naszej Polityce cookies

Zamknij X