Zakres prac B+R

Planowane prace B+R zgrupowane zostały w następujące Pakiety Zadaniowe i Zadania realizowane przez międzyinstytucjonalne grupy badawcze i koordynowane przez nominowanego lidera.

PZ1 NOWE MATERIAŁY, lider ITE

Z1.1 Przezroczyste tlenki półprzewodnikowe, lider ITE;
Z1.2 Azotki grupy III na podłożach Si, lider IF PAN;
Z1.3 Charakteryzacja materiałów, lider PŚl;

PZ2 NOWE MODUŁY TECHNOLOGICZNE, lider ITE

Z2.1 Technologia wytwarzania cienkich warstw dielektrycznych i metalicznych techniką PVD-MS, lider ITE
Z2.2 Technologia wytwarzania struktur AlGaN/GaN na podłożach Si metodą MBE, lider IF PAN;
Z2.3 Metalizacje z DMS i DMOs, lider IF PAN;
Z2.4 Technologia wytwarzania cienkich warstw dielektrycznych techniką ALD, lider ITE;
Z2.5 Technologia kształtowania wzorów w skali submikrometrowej technikami głębokiego nadfioletu
(DUV-OL) i trawienia suchego plazmą o dużej gęstości (ICP), lider ITE;
Z2.6 Technologia kształtowania wzorów w skali submikrometrowej technikami NIL, lider ITE;
Z2.7 Charakteryzacja struktur, lider PŚl;

PZ3 MODELOWANIE MATERIAŁÓW I STRUKTUR, lider PŁ

Z3.1 Teoria domieszkowania tlenków półprzewodnikowych lider IF PAN;
Z3.2 Modelowanie struktury kryształów fotonicznych z półprzewodników szerokoprzerwowych, lider PŁ;
Z3.3 Modelowanie zjawisk i projektowanie konstrukcji źródeł promieniowania UV na bazie GaN i ZnO,
lider PŁ;
Z3.4 Modelowanie zjawisk i projektowanie konstrukcji źródeł promieniowania UV na bazie GaN i ZnO
wykorzystujących kryształy fotoniczne, lider PŁ;
Z3.5 Analiza własności cieplnych różnych przyrządów półprzewodnikowych z półprzewodników
szerokoprzerwowych, lider PŁ;
Z3.6 Projektowanie optoelektronicznych sensorów gazowych, lider PŚl;
Z3.7 Modelowanie i projektowanie detektora ultrafioletu na bazie heterozłącza AlGaN/GaN,lider PŚl;
Z3.8 Modelowanie i projektowanie konstrukcji tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożach Si i MOSFET
na bazie SiC,lider PW-IMiO;

PZ4 DEMONSTRATORY I WERYFIKACJA, lider PW-IRE

Z4.1 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych tranzystora MOSFET SiC, lider PW-IMiO;
Z4.2 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych tranzystora HEMT AlGaN/GaN na podłożu Si,
lider PW-IRE;
Z4.3 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych diody UV-DEL AlGaNGaN, lider ITE;
Z4.4 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych diody UV-DEL ZnO, lider ITE>;
Z4.5 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych fotonicznych struktur sensorowych na bazie ZnO
dla czujników wybranych gazów, lider PŚl;
Z4.6 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych fotodetektora ultrafioletu na bazie heterozłącza
AlGaN/GaN, lider PŚl;

PZ5 APLIKACJE, lider WAT

Z5.1 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych sensora gazów toksycznych opartego na zjawisku
fotonapięcia powierzchniowego, lider PŚl;
Z5.2 Wykonanie wieloparametrycznego klasyfikatora parametrów użytkowych biopaliw ciekłych,
lider PW-IMiO;