InTechFun

Promocja projektu

I Konferencja InTechFun

PZ0 – Zarządzanie projektem
Z0.1 Z6.1	Zarządzanie projektem - monitorowanie i realizacja projektu pod względem finansowym (2009 – 2010). Promocja projektu i upowszechnianie wyników.	mgr Patrycja MIHALOVITS - ITE
PZ1 – Nowe materiały
Z1.1	Wzrost i właściwości cienkich warstw ZnO osadzanych metodą wysokotemperaturowego rozpylania katodowego.	mgr Michał A. BORYSIEWICZ - ITE
Z1.2	Wzrost MBE warstw GaN na podłożach Si.	prof. dr hab. Zbigniew ŻYTKIEWICZ – IF PAN
Z1.3	Technologia i charakteryzacja cienkich warstw materiałów tlenkowych.	prof. dr hab. inż. Jacek SZUBER – PŚl
Z1.3	Charakteryzacja metodami elektrycznymi warstw epitaksjalnych z GaN i pochodnych, niedomieszkowanych i domieszkowanych, w tym jonami magnetycznymi. Porównawcze badania elektryczne związków półprzewodnikowych wytworzonych na różnych podłożach, w tym Si i SiC.	mgr inż. Grzegorz ZAREMBA – ITE
PZ2 – Nowe moduły technologiczne
Z2.1	Badania nad wytwarzaniem cienkich warstw faz MAX do zastosowań dla kontaktów omowych do GaN i SiC.	mgr Michał A. BORYSIEWICZ - ITE
Z2.1	Wielowarstwy Ni/Si jako kontakty omowe do 4H-SiC typu n.	dr Zbigniew ADAMUS
Z2.3 Z2.4	Nanokompozyty metal-półprzewodnik. Tlenki podbramkowe z dużą stałą dielektryczną.	dr hab. Maciej SAWICKI – IF PAN
Z2.4	Osadzanie cienkich warstw dielektrycznych o wysokiej stałej dielektrycznej metodą ALD.	inż. Andrzej TAUBE – ITE
Z2.5	Opracowanie procesów fotolitografii DUV oraz procesów trawienia plazmowego ICP/RIE do kształtowania wzorów o geometrii submikrometrowej związków szerokoprzerwowych.	mgr inż. Katarzyna KORWIN-MIKKE – ITE
Z2.6	Technologia kształtowania wzorów w skali submikrometrowej technikami NIL: Uruchomienie urządzenia do kształtowania wzorów techniką nanostemplowania.	mgr inż. Marek EKIELSKI – ITE
Z2.7	Problemy dielektryków podbramkowych dla tranzystorów z izolowaną bramką na SiC.	dr inż. Tomasz GUTT – ITE
Z2.7	Charakteryzacja kontaktów omowych do SiC przy użyciu mikroskopii elektronowej.	doc. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI – ITE
Z2.7	1. Charakteryzacja właściwości optycznych, chemicznych, morfologicznych i elektronowych pasywowanych struktur AlGaN/GaN. 2. Wyznaczanie profili składu chemicznego struktur MOS na bazie SiC oraz warstw półprzewodników tlenkowych.	dr hab. inż. Bogusława ADAMOWICZ – PŚl
PZ3 - Modelowanie
Z3.1	Ko-domieszkowanie ZnO na typ p przy użyciu Ag i N.	prof. dr hab. Piotr BOGUSŁAWSKI – IF PAN
Z3.2 Z3.3 Z3.4 Z3.5	Modelowanie zjawisk fizycznych w przyrządach optoelektronicznych zbudowanych na bazie materiałów o szerokiej przerwie energetycznej.	prof. dr hab. inż. Włodzimierz NAKWASKI - PŁ
Z3.6	Badania projektowe struktur optoelektronicznych na bazie ZnO dla zastosowań w optycznych sensorach gazów.	prof. dr hab. inż. Tadeusz PUSTELNY - PŚl
Z3.7	Obliczenia zjawisk nierównowagowych w oświetlonej strukturze metal/dielektryk/GaN na podstawie modelu dryftowo-dyfuzyjnego, z wykorzystaniem opracowanego symulatora w programie COMSOL Multiphysics.	dr inż. Marcin MICZEK – PŚl
Z3.8	Adaptacja środowiska symulacyjnego Silvaco i SRIM na potrzeby technologii węglika krzemu.	dr inż. Mariusz SOCHACKI – PW
PZ5 – Demonstratory i weryfikacja
Z5.2	Konstrukcja głowicy optoelektronicznej z wymiennymi strukturami kapilarnymi przeznaczonymi do badan parametrów biopaliw.	dr inż. Michał BORECKI – PW