InTechFun
Sesja Specjalna InTechFun, XI KKE
| 12 czerwca 2012 | ||
| 9:50 |
Otwarcie Sesji InTechFun (sala pastelowa) |
|
| 9:50-10:05 | Krystalizacjo techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si | Prof. Zbigniew R. Żytkiewicz (Instytut Fizyki PAN), Marta Sobańska, Kamil Kłosek, Jolanta Borysiuk, Aleksandra Wierzbicka, Anna Reszka |
| 10:05-10:20 | Wytwarzanie bramki typu T dla HEMTa metodą litografii elektronowej | Dr Maciej Zgirski (Instytut Fizyki PAN), Sergiusz Truszkin, Renata Kruszka, Andrzej Nowek |
| 10:20-10:35 | Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN | Mgr inż. Marek Ekielski (Instytut Technologii Elektronowej), Zuzanna Sidor, Marcin Juchniewicz, Mariusz Płuska, Marek Wzorek, Anna Piotrowska, Robert Kucharski, Valery Kolkovsky, Zbigniew Żytkiewicz, Maciej Gruszka |
| 10:35-10:50 | The influence of post-oxidation annealing process in 02 and N20 on the ąuality of Al/SiO/n-type 4H-SiC MOS interface | Krystian Król (Politechnika Warszawska, Instytut Mikro i Optoelektroniki), Małgorzata Kalisz, Mariusz Sochacki, Jan Szmidt |
| 11:20-11:35 | Modelowanie diody elektroluminescencyjnej opartej na materiałach ZnO | Michał Wasiak, Maciej Dems, Maciej Kuc, Robert Piotr Sarzała, Włodzimierz Nakwaski (Politechnika Łódzka) |
| 11:35-11:50 | Wpływ wzajemnego oddziaływania cieplnego emiterów promieniowania na pracę matrycy zbudowanej na bazie GaN | Maciej Kuc, Robert Piotr Sarzała (Politechnika Łódzka) |
| 11:50-12:05 | Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN | Marcin Miczek, Maciej Matys, Bogusława Adamowicz (Politechnika Śląska) |
| 12:05-12:20 | Powtarzalność elektrycznej charakteryzacji oprawki zawierającej połączenia drutowe | Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek (Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki) |
| 12:40-12:55 | Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych - głowica współpracująca z optrodami kapilarnymi | Michał Borecki, Jerzy Kalenik, Paweł Pszczółkowski, Emila Ciupa, Mariusz Duk, Michael Korwin-Pawlowski, Jarosław Frydrych (Politechnika Warszawska, Instytut Mikro i Optoelektroniki) |
| 12:55-13:10 | Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych | Tomasz Gutt, Krzysztof Piskorski, Henryk M. Przewłocki, Paweł Borowicz (Instytut Technologii Elektronowej) |
| 13:20-13:35 | Badanie struktur sensorowych na bazie tlenku cynku ZnO na oddziaływanie z wybranym środowiskiem gazowym | Przemysław Struk (Politechnika Śląska), Tadeusz Pustelny, Krystyna Gołaszewska-Malec, Michał A. Borysiewicz, Anna Piotrowska |
| 13:35-13:50 | Zastosowanie metod fluory metrycznych w analizie paliw płynnych | Aneta Bombalska, Miron Kaliszewski, Monika Mularczyk-Oliwa, Maksymilian Włodarski, Krzysztof Kopczyński (Wojskowa Akademia Techniczna) |
| 13 czerwca 2012 12:50 -14:10 Sesja plakatowa (sala rubinowa) |
||
| 1 | Własności luk kationowych w szerokoprzerwowym tlenku przewodzącym ZnRh204 : Obliczenia z pierwszych zasad | O. Volnianska i P. Bogusławski (Instytut Fizyki PAN) |
| 2 | Mikrostruktura wielowarstwowych metalizacji kontaktowych Ti/TaSiN/Ag oraz Ni/Au do n-SiC | Marek Wzorek, Marek Guziewicz, Andrzej Czerwiński, Jacek Ratajczak, Anna Piotrowska, Jerzy Kątcki (Instytut Technologii Elektronowej) |
| 3 | Optymalizacja technologii osadzania nanowarstw Sn02 metodą rozwirowywania z roztworów (spin-coating) | Jacek Szuber, Krzysztof Waczyński, Monika Kwoka, Michał Sitarz, Natalia Waczyńska-Niemiec, Piotr Kościelniak (Politechnika Śląska) |
| 4 | Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu | Paweł Borowicz, (Instytut Technologii Elektronowej), Zbigniew Adamus, Marek Ekielski, Anna Piotrowska, Adrian Kuchuk, Michał Borysiewicz, Eliana Kamińska, Mariusz Latek |
| 5 | Zastosowanie funkcji Lamberta do wyznaczania parametrów złącza p-n | Wojciech Jung (Instytut Technologii Elektronowej) |
| 6 | Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki | Krzysztof Piskorski (Instytut Technologii Elektronowej), Henryk M. Przewłocki, Romain Esteve, Mietek Bakowski (Instytut Technologii Elektronowej) |
| 7 | Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN | Bogusława Adamowicz (Politechnika Śląska), Alina Domanowska, Piotr Kościelniak, Rafał Ucka, Maciej Matys, Marcin Miczek, Michał Sitarz, Jacek Szuber, Zbigniew R. Żytkiewicz, Marta Sobańska, Kamil Kłosek, Andrzej Taube |
| 8 | Kontrolowane trawienia plazmą BCI/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN | Renata Kruszka (Instytut Technologii Elektronowej), Krystyna Gołaszewska, Andrzej Taube, Zuzanna Sidor, Michał Borysiewicz, Zbigniew R. Żytkiewicz, Eliana Kamińska, Anna Piotrowska |
| 9 | Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorbcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C | Krystyna Ławniczak-Jabłońska (Instytut Fizyki PAN), Marcin T. Klepka, Anna Wolska, Elżbieta Dynowska, Michał A. Borysiewicz, Anna Piotrowska |
| 10 | Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN - wpływ przewodności cieplnej podłoża | Andrzej Taube, Mariusz Sochacki, Jan Szmidt (Instytut Technologii Elektronowej, Politechnika Warszawska, Instytut Mikro i Optoelektroniki) |
| 11 | Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN | Andrzej Taube, Mariusz Sochacki, Jan Szmidt (Instytut Technologii Elektronowej, Politechnika Warszawska, Instytut Mikro i Optoelektroniki) |
