InTechFun
Sesja Specjalna InTechFun, X KKE
| 5 czerwca 2011 | ||
| 9:30–9:50 | Referat plenarny InTechFun: Panorama Projektu i najnowsze osiągnięcia |
A. Piotrowska, E. Kamińska, Instytut Technologii Elektronowej |
| Sesja I Nowe Materiały i Nowe Moduły Technologiczne | ||
| 10:00–10:20 | Optymalizacja technologii RGTO osadzania bardzo cienkich warstw wybranych przezroczystych tlenków przewodzących | J. Szuber, M. Kwoka, P. Kościelniak, Politechnika Śląska |
| 10:20–10:40 | Krystalizacja i właściwości warstw GaN krystalizowanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu | Z.R. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, J. Borysiuk, A. Wierzbicka, A. Reszka, E. Łusakowska, Instytut Fizyki PAN |
| 10:40–11:00 | Kompozyt metal-półprzewodnik na bazie magnetycznie domieszkowanych związków półprzewodnikowych | M. Sawicki, Dietl, A. Bonanni, N. Gonzales-Szwacki, J.A. Majewski Instytut Fizyki PAN |
| 11:00–11:20 | Trawienia materiałów szerokoprzerwowych GaN i SiC | R. Kruszka, M. Wzorek, K. Korwin-Mikke, E. Kamińska, I. Pasternak, A. Piotrowska Instytut Technologii Elektronowej |
| Sesja II Modelowanie i Charakteryzacja | ||
| 11:40–12:05 | Badania elektronomikroskopowe struktur półprzewodnikowych wytwarzanych w oparciu o SiC i ZnO Badanie elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu |
M. Wzorek, A. Łaszcz, A. Czerwiński, J. Ratajczak, M. Płuska, M. Borysiewicz, A. Taube, A. Kuchuk, K. Korwin-Mikke, A. Piotrowska, J. Kątcki, S. Gierałtowska, Instytut Technologii Elektronowej |
| 12:05–12:25 | Propagacja fali elektromagnetycznej w falowodzie wykonanym w planarnym krysztale fotonicznym do zastosowań w diodzie o emisji krawędziowej | M. Dems Politechnika Łódzka |
| 12:25–12:45 | Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu | B. Adamowicz, P. Bidziński, M. Miczek, M. Matys Politechnika Śląska |
| 12:45–13:05 | Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu | A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt Instytut Technologii Elektronowej |
| 13:05–13:25 | Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi optycznymi | H.M. Przewłocki, R. Esteve, T. Gutt, M. Bakowski, P. Borowicz, K. Piskorski, W. Rzodkiewicz Instytut Technologii Elektronowej |
| Sesja III Aplikacje | ||
| 15:00–15:20 | Struktury fotoniczne na bazie ZnO | T. Pustelny, P. Struk, K. Gołaszewska-Malec, M. Ekielski, A. Piotrowska Politechnika Śląska |
| 15:20–15:40 | Zastosowanie metod spektroskopowych do analizy paliw płynnych | M. Kaliszewski, M. Mularczyk-Oliwa, M. Włodarski, A. Bombalska, K. Kopczyński Wojskowa Akademia Techniczna |
| 15:40–16:00 | Zagadnienia klasyfikacji biopaliw - głowica hybrydowa współpracująca z optrodami kapilarnymi | M. Borecki, M. K. Pawłowski M. Bebłowska, J. Szmidt, A. Kociubiński Politechnika Warszawska |
| 16:00–16:20 | InTechFun – aspekty finansowe I prawne Projektu, postęp w realizacji specyficznych zadań Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka | P. Mihalovits, A. Piotrowska Instytut Technologii Elektronowej |
| 6 czerwca 2011 | ||
| IV sesja plakatowa | ||
| P.1 | Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu | K. Kłosek, Z.R. Żytkiewicz, M. Sobańska Instytut Fizyki PAN |
| P.2 | Domieszkowanie ZnO na typ przy użyciu N i Ag: tworzenie wytrąceń i rola wodoru | O. Volnianska, P. Bogusławski Instytut Fizyki PAN |
| P.3 | Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego | R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, K. Gołaszewska, M. Wzorek, A. Taube, E. Kamińska, I. Pasternak, A. Piotrowska Instytut Technologii Elektronowej |
| P.4 | Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100 | M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz, M. Płuska, A. Piotrowska Instytut Technologii Elektronowej |
| P.5 | Pomiary oporności właściwej kontaktów omowych do n-SiC metodą c-TLM | K. Gołaszewska, A. Kuchuk, J.W. Kiszkurno, W. Jung, M. Guziewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska Instytut Technologii Elektronowej |
| P.6 | Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej | P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek Instytut Technologii Elektronowej |
| P.7 | Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky’ego 4H-SiC | G. Zaremba, Z. Adamus, W. Jung, E. Kamińska, M. Borysiewcz, K. Korwin-Mikke Instytut Technologii Elektronowej |
| P.8 | Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC | K. Piskorski, R. Esteve, H.M. Przewłocki, M. Bakowski Instytut Technologii Elektronowej |
| P.9 | Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC | T. Gutt, R. Esteve, T. Małachowski, M. Bąkowski, H. M. Przewłocki, O. Engstrom Instytut Technologii Elektronowej |
| P.10 | Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu | A. Taube, S. Gierałtowska, K. Korwin-Mikke, M. Sochacki, T. Gutt, R. Mroczyński, T. Małachowski, E. Dynowska, I. Pasternak, J. Szmidt, M. Wzorek, A. Łaszcz, M. Płuska, W. Rzodkiewicz, A. Piotrowska Instytut Technologii Elektronowej |
| P.11 | Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001) | M. Kalisz, M. Sochacki, . Szmidt, K. Król Politechnika Warszawska |
| P.12 | Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN | W. Jung, Z. Żytkiewicz, K. Gołaszewska, M. Sobańska, K. Kłosek Instytut Technologii Elektronowej |
| V sesja plakatowa | ||
| P.1 | Wyznaczanie faz powstających w trakcie procesów technologicznych nanoszenia warstw Ti-Si-C na szafir | K. Ławniczak-Jablonska, M.T. Klepka, M. A. Borysiewicz, A. Wolska, E. Dynowska Instytut Fizyki PAN |
| P.2 | Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera | A. Domanowska, J. Żywicki, A. Klimasek, E. Lisiecka, J. Szewczenko, P. Bidziński, B. Adamowicz Politechnika Śląska |
| P.3 | Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN | M. Matys, B. Adamowicz Politechnika Śląska |
| P.4 | Modelowanie cieplno-elektrycznych właściwości emiterów promieniowania i ich matryc opartych na materiałach azotkowych | M. Kuc, R. P. Sarzała Politechnika Łódzka |
| P.5 | Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych | S. Morawiec, W. Nakwaski, R. P. Sarzała Politechnika Łódzka |
| P.6 | Efektywne wyznaczanie fotonowego modelu pasmowego i fotonowej gęstości stanów w krysztale fotonicznym | M. Dems Politechnika Łódzka |
| P.7 | Analiza skuteczności stosowania przekładek (heat-spreaderów) do poprawy odprowadzania strumienia ciepła z półprzewodnikowych emiterów światła | M. Kuc, A. Brozi, R. P. Sarzała Politechnika Łódzka |
| P.8 | Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO | P. Kowalczewski, R. P. Sarzała, M. Kuc, W. Nakwaski, Ł. Piskorski Politechnika Łódzka |
| P.9 | Zastosowanie techniki FTIR w analizie paliw płynnych | A. Bombalska, M. Mularczyk-Oliwa, M. Włodarski, M. Kaliszewski, K. Kopczyński Wojskowa Akademia Techniczna |
| P.10 | Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF | P. Kopyt, W. Wojtasiak, D. Gryglewski, W. Gwarek Politechnika Warszawska |
