InTechFun

Promocja projektu

Sesja Specjalna InTechFun, XII KKE

11 czerwca 2013
10:00	Otwarcie Sesji InTechFun (sala pastelowa)
10:00-10.15	Panorama Projektu i najnowsze osiągnięcia	Anna Piotrowska, Patrycja Mihalovits
10:25–10.40	Wzrost struktur GaN/AlGaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych na podłożach Si	Zbigniew R. Żytkiewicz (Instytut Fizyki PAN), Kamil Kłosek, Jolanta Borysiuk, Andrzej Cabaj, Marta Sobańska, Aleksandra Wierzbicka, Giorgi Tchutchulashvili, Elżbieta Łusakowska
10:40–10:55	Badania wybranych nanostruktur SnO2 w aspekcie zastosowań sensorowych	Monika Kwoka (Politechnika Śląska), Jacek Szuber
10:55–11.10	Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO	Maciej Sawicki (Instytut Fizyki PAN), Wiktor Stefanowicz, Sylwia Dobkowska, Dariusz Sztenkiel, Tomasz Dietl
11.40–11.55	Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC	Paweł Kopyt (Politechnika Warszawska – IRE), Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek
11.55–12.10	Modelowanie zjawiska elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej	Robert Sarzała (Politechnika Łódzka), Maciej Kuc, Adam Sokół, Michał Wasiak, Renata Kruszka, Krystyna Gołaszewska – Malec
12.10–12.25	Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN	Bogusława Adamowicz (Politechnika Śląska), Maciej Matys, Rafał Ucka, Kamil Kłosek, Alina Domanowska, Zbigniew R. Żytkiewicz, Marta Sobańska, Andrzej Taube, Renata Kruszka
12.25–12.40	Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC.	Mariusz Sochacki (Politechnika Warszawska), Norbert Kwietniewski, Andrzej Taube, Krystian Król, Jan Szmidt
13.00–13.20	Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi	Krystyna Gołaszewska – Malec (Instytut Technologii Elektronowej), Renata Kruszka, Marcin Myśliwiec, Marek Ekielski, Wojciech Jung, Tadeusz Piotrowski, Marcin Juchniewicz, Jan Bar, Marek Wzorek, Eliana Kamińska, Anna Piotrowska, Robert P. Sarzała, Maciej Dems, Jacek Wojtas, Robert Mędrzycki, Paweł Prystawko
13.20–13.40	Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych – optymalizacja głowicy sensora	Michał Borecki (Politechnika Warszawska), Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński, Michael Korwin-Pawłowski
13.40–14.00	Konstrukcja i badania modułu fluorescencyjnego wieloparametrycznego klasyfikatora paliw ciekłych	Maksymilian Włodarski (Wojskowa Akademia Techniczna), Miron Kaliszewski, Aneta Bombalska, Monika Mularczyk – Oliwa, Jarosław Młyńczak, Krzysztof Kopczyński
11 czerwca 2013 15:30 -17:00 Sesja plakatowa (sala rubinowa)
1	Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu.	Tomasz Gutt (Instytut Technologii Elektronowej), Henryk M. Przewłocki
2	Charakteryzacja TEM warstw Ti-Si-C osadzanych metodą wysokotemperaturowego magnetronowego rozpylania katodowego.	M. Wzorek (Instytut Technologii Elektronowej), A. Czerwiński, J. Ratajczak, M. A.Borysiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Kątcki
3	Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w ZnO.	M. Juchniewicz (Instytut Technologii Elektronowej), M. Ekielski, M. A. Borysiewicz, E. Kamińska, M. Wzorek, A. Piotrowska
4	Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC.	A. Domanowska (Instytut Fizyki PAN), R. Ucka, M. Matys, B. Adamowicz, M. Sochacki, Z. R. Żytkiewicz, M. Sobańska, K.Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki
5	Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości stanów powierzchniowych na granicy fazowej Al₂O₃/GaN i Al₂O₃/AlGaN.	M. Matys (Instytut Fizyki PAN), R. Ucka, B. Adamowicz, Yujin Hori, T. Hashizume
6	Wpływ rozmieszczenia emiterów na ujednorodnienie temperatury w matrycy zbudowanej na bazie szerokoprzerywowych materiałów azotkowych.	M. Kuc (Politechnika Łódzka), A. Brozi, R. P. Sarzała
7	Model lasera o emisji krawędziowej z obszarem czynnym GaN/AlGaN emitującego promieniowanie ultrafioletowe.	Ł. Piskorski (Politechnika Łódzka), M. Kuc, J. Walczak, R.t P. Sarzała
8	Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN.	A. Taube (Instytut Technologii Elektronowej), J. Szmidt, A. Piotrowska, M. Sochacki, E. Kamińska
9	Struktury hybrydowe oraz struktury sensorowe na bazie ZnO.	P. Struk (Politechnika Śląska), T. Pustelny, K. Gołaszewska – Malec, M. A. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska
10	Demonstrator sensora gazów toksycznych oparty na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.	P. Tomkiewicz (Politechnika Śląska) J. Szuber, A. Miera, M. A. Borysiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Setkiewicz
11	Stabilne termicznie i chemicznie kontakty omowe do GaN n-typu oparte o fazy MAX.	M. A. Borysiewicz (Instytut Technologii Elektronowej) M. Myśliwiec, K. Gołaszewska – Malec, E. Kamińska, A. Piotrowska, R. Jakieła, E. Dynowska
12	Wykorzystanie nanodrutów GaN na podłożach Si w strukturach sensorów chemicznych.	K. Kłosek (Instytut Fizyki PAN), Marta Sobańska, Z. R. Żytkiewicz, A. Wierzbicka, A. Reszka, R. Kruszka, K. Gołaszewska – Malec, M. Setkiewicz, T. Pustelny